| 型号： | 2DB1132R-13 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| 2DB1132R-13 PDF |  |
| 其它图纸 | SOT-89 Package Top SOT-89 Package Side 1 SOT-89 Package Side 2 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 32V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 180 @ 100mA，3V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率 - 转换 | 190MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 供应商设备封装 | SOT-89-3 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1576 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 2DB1132RDIDKR |